1N4448GEG, DO35

1N4448GEG, DO35

Quantidade
Preço unitário
1-9
0.25€
10-49
0.0768€
50-99
0.0480€
100-199
0.0342€
200+
0.0271€
Quantidade em estoque: 1000

1N4448GEG, DO35. Carcaça: DO35. Corrente de pulso máx.: 4A. Embalagem: Ammo Pack. Estrutura semicondutora: diodo. Montagem/instalação: THT. Potência: 0.5W. Propriedades do semicondutor: comutação super rápida. RoHS: não. Tempo de reação: 4ns. Tensão de condução (tensão limite): 1V. Tensão limite: 1V. Tensão reversa máxima: 100V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de semicondutor: diodo. Produto original do fabricante: DC Components. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 16:24

1N4448GEG
15 parâmetros
Carcaça
DO35
Corrente de pulso máx.
4A
Embalagem
Ammo Pack
Estrutura semicondutora
diodo
Montagem/instalação
THT
Potência
0.5W
Propriedades do semicondutor
comutação super rápida
RoHS
não
Tempo de reação
4ns
Tensão de condução (tensão limite)
1V
Tensão limite
1V
Tensão reversa máxima
100V
Tipo de diodo
diodo de comutação
Tipo de semicondutor
diodo
Produto original do fabricante
DC Components