1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V

1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V

Quantidade
Preço unitário
25-49
0.0238€
50-99
0.0192€
100-499
0.0164€
500-999
0.0132€
1000+
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Equivalência disponível
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Mín.: 25

1N4151, DO-35 ( SOD27 ), 0.2A, 2A, DO-35, 75V. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Corrente de pulso máx.: 2A. Diodo Trr (mín.): 2 ns. Dirigindo corrente: 0.5A. Embalagem: Ammo Pack. Estrutura semicondutora: diodo. Função: diodo de comutação ultrarrápido, Ifsm 1us 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Potência: 0.5W. Propriedades do semicondutor: comutação super rápida. RM (máx.): 50nA. RoHS: sim. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tempo de reação: 4ns. Tensão de condução (tensão limite): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão reversa máxima: 75V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de semicondutor: diodo. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 25. Quantidade em estoque atualizada em 12/12/2025, 03:22

Documentação técnica (PDF)
1N4151
27 parâmetros
Carcaça
DO-35 ( SOD27 )
Corrente direta (AV)
0.2A
IFSM
2A
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-35
VRRM
75V
Corrente de pulso máx.
2A
Diodo Trr (mín.)
2 ns
Dirigindo corrente
0.5A
Embalagem
Ammo Pack
Estrutura semicondutora
diodo
Função
diodo de comutação ultrarrápido, Ifsm 1us 2A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Potência
0.5W
Propriedades do semicondutor
comutação super rápida
RM (máx.)
50nA
RoHS
sim
Temperatura operacional
-50...+200°C
Tempo de reação
4ns
Tensão de condução (tensão limite)
1V
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão reversa máxima
75V
Tipo de diodo
diodo de comutação
Tipo de semicondutor
diodo
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor
Quantidade mínima
25

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