1N4149TR, DO-35, 0.5A

1N4149TR, DO-35, 0.5A

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Mín.: 5

1N4149TR, DO-35, 0.5A. Carcaça: DO-35. Carcaça (padrão JEDEC): -. Corrente direta [A]: 0.5A. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..50uA. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Ism [A]: 4A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:12

1N4149TR
14 parâmetros
Carcaça
DO-35
Corrente direta [A]
0.5A
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
25nA..50uA
Família de componentes
Diodo de silício de pequeno sinal
Ism [A]
4A
Número de terminais
2
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
100V
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
4 ns
[V]
1V @ 10mA
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)
Quantidade mínima
5