Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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W02M. Diâmetro: 10mm. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Equivalentes: RB152. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Produto original do fabricante DC Components. Quantidade em estoque atualizada em 13/06/2025, 11:25.

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VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Po...
W06M
VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Po...
BR152
VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: P...
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VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 1.5A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de dio...
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VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 1.5A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . Dimensões das conexões: distância entre pernas 5,6x5,6mm. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55°C...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 1.5A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . Dimensões das conexões: distância entre pernas 5,6x5,6mm. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55°C...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V
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