Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V - BD139-CDIL

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V - BD139-CDIL
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V - BD139-CDIL. Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 15:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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