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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V - BC868-25-115

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V - BC868-25-115
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V - BC868-25-115. Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Custo): 22pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CDC. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD CDC. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BL. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Nota: serigrafia/código SMD BL. Marcação na caixa: BL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX53-16
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