Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V - 2N4403

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V - 2N4403
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1 - 1 0.92€ 1.13€
2 - 2 0.87€ 1.07€
3 - 4 0.83€ 1.02€
5 - 9 0.81€ 1.00€
10 - 24 0.78€ 0.96€
25 - 49 0.67€ 0.82€
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V - 2N4403. Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo Pack, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Diotec. Quantidade em estoque atualizada em 31/07/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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