Transistor IGBT HGTG12N60A4

Transistor IGBT HGTG12N60A4. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 12N60A4. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 54A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 167W. Corrente máxima do coletor (A): 96A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 16:25.