Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA

Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FGA40N65SMD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 650V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 120ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 174W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.