Transistor de canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V

Transistor de canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V

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Transistor de canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 650pF. Cobrar: 21.3nC. Corrente de drenagem: -18A. Custo): 270pF. DI (T=100°C): 11A. Equivalentes: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 64A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. Polaridade: unipolar. Potência: 57W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 2.2K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 19/12/2025, 04:54

Documentação técnica (PDF)
IRFR5505
34 parâmetros
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=25°C)
18A
Idss (máx.)
250uA
Habitação (conforme ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
650pF
Cobrar
21.3nC
Corrente de drenagem
-18A
Custo)
270pF
DI (T=100°C)
11A
Equivalentes
IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
64A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
On-resistência Rds On
0.11 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
57W
Polaridade
unipolar
Potência
57W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência térmica da habitação
2.2K/W
RoHS
sim
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tensão da fonte de drenagem
-55V
Tensão de fonte de porta
20V, ±20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier