Transistor de canal P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Carcaça: DIP4. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -1A. Marcação do fabricante: IRFD9120PBF. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:42