Transistor de canal P IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V
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Transistor de canal P IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V. Carcaça: TO220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Corrente máxima de drenagem: 14A. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 760pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 79W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -14A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 14A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRF9530. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. Polaridade: MOSFET P. Potência: 75W. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: P. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Vdss (dreno para tensão da fonte): -100V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06