Transistor de canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V
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Transistor de canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -0.13A. Marcação do fabricante: 13. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Produto original do fabricante: Nxp. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27
BSS84-215-PD
17 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-50V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
7 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
45pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
10 Ohms @ -0.13A
Dissipação máxima Ptot [W]
0.25W
Família de componentes
MOSFET, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
-0.13A
Marcação do fabricante
13
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
3 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
-2V
Produto original do fabricante
Nxp