Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.54€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.46€ |
10 - 24 | 1.15€ | 1.41€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.39€ |
50 - 99 | 1.10€ | 1.35€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.29€ |
250 - 2926 | 0.97€ | 1.19€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.54€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.46€ |
10 - 24 | 1.15€ | 1.41€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.39€ |
50 - 99 | 1.10€ | 1.35€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.29€ |
250 - 2926 | 0.97€ | 1.19€ |
Transistor de canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V - BS250P. Transistor de canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500nA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 45V. C (pol.): 60pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 3A. IDss (min): -0.23A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. On-resistência Rds On: 14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante Diodes Incorporated. Quantidade em estoque atualizada em 07/06/2025, 23:25.
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