Transistor de canal N STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 3050pF. Custo): 380pF. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 220A. Marcação na caixa: P55NE06. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência. Temperatura: +175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24