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Transistor de canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP3NB80

Transistor de canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP3NB80
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STP3NK80Z

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Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (...
STP3NK80Z
Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
STP3NK80Z
Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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