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Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP26NM60N

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP26NM60N
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1 - 4 3.84€ 4.72€
5 - 9 3.65€ 4.49€
10 - 24 3.46€ 4.26€
25 - 49 3.26€ 4.01€
50 - 50 3.19€ 3.92€
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Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP26NM60N. Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1800pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 26NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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