Transistor de canal N STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 5100pF. Custo): 1270pF. Diodo Trr (mín.): 67 ns. Função: comutação, aplicações automotivas. IDss (min): 10uA. Id(im): 480A. Marcação na caixa: 200N4F3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24