Transistor de canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Transistor de canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.88€
5-24
1.61€
25-49
1.46€
50+
1.33€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 1

Transistor de canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 1250pF. Custo): 210pF. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 42.8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Viso 2000VDC. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP11NB40FP
30 parâmetros
DI (T=100°C)
3.8A
DI (T=25°C)
6A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
0.48 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
400V
C (pol.)
1250pF
Custo)
210pF
Diodo Trr (mín.)
400 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
1uA
Id(im)
42.8A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Viso 2000VDC
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
10 ns
Td(ligado)
17 ns
Tecnologia
PowerMESH MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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