Transistor de canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Carcaça: TO-220FP. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. C (pol.): 965pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1255pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Custo): 105pF. Diodo Trr (mín.): 365ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Troca rápida, baixa carga de porta 28nC, Low Crss 12pF. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 7.6A. IDss (min): 1uA. Id(im): 30A. Marcação do fabricante: FQPF8N60C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 81 ns. Td(ligado): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 45 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41