Transistor de canal N IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 1500pF. Custo): 178pF. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 250uA. Id(im): 40A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Samsung. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11