Transistor de canal N MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247
| Quantidade | Preço unitário | Salvar |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 8.82 € | — |
| 60+Melhor preço | 8.36 € | -5% |
Descrição técnica do produto (MBQ60T65PES):
Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Carcaça: TO-247. Diodo de germânio: não. RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+150°C. Diodo CE: sim. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de canal: N. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(desligado): 142ns. Td(ligado): 45 ns. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: 60T65PES. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Pd (dissipação de energia, máx.): 535W. Condicionamento: tubo de plástico. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Corrente do coletor: 100A. Unidade de condicionamento: 30