Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V - MBQ60T65PES

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V - MBQ60T65PES. Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: 60T65PES. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 535W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 142ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Produto original do fabricante Magnachip Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 15:25.