Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V - IXFH32N50

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Transistor de canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V - IXFH32N50. Transistor de canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 5700pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 128A. IDss (min): 200uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 23:25.

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Transistor de canal N, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 5000pF. Custo): 553pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 124A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS
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