Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.75€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.71€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.68€ | 0.84€ |
25 - 49 | 0.64€ | 0.79€ |
50 - 99 | 0.62€ | 0.76€ |
100 - 172 | 0.56€ | 0.69€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.75€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.71€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.68€ | 0.84€ |
25 - 49 | 0.64€ | 0.79€ |
50 - 99 | 0.62€ | 0.76€ |
100 - 172 | 0.56€ | 0.69€ |
Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V - IRLR024N. Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 5V. C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 72A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR024NPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 16:25.
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