Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.20€ | 1.48€ |
5 - 9 | 1.14€ | 1.40€ |
10 - 24 | 1.08€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.02€ | 1.25€ |
50 - 94 | 0.89€ | 1.09€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.20€ | 1.48€ |
5 - 9 | 1.14€ | 1.40€ |
10 - 24 | 1.08€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.02€ | 1.25€ |
50 - 94 | 0.89€ | 1.09€ |
Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD014. Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 1.7A. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(im): 14A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 16:25.
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