Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 6.17€ | 7.59€ |
2 - 2 | 5.86€ | 7.21€ |
3 - 4 | 5.56€ | 6.84€ |
5 - 9 | 5.25€ | 6.46€ |
10 - 19 | 5.12€ | 6.30€ |
20 - 29 | 5.00€ | 6.15€ |
30 - 35 | 4.82€ | 5.93€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.17€ | 7.59€ |
2 - 2 | 5.86€ | 7.21€ |
3 - 4 | 5.56€ | 6.84€ |
5 - 9 | 5.25€ | 6.46€ |
10 - 19 | 5.12€ | 6.30€ |
20 - 29 | 5.00€ | 6.15€ |
30 - 35 | 4.82€ | 5.93€ |
Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH40U. Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1800pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Função: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Corrente do coletor: 41A. Ic(pulso): 82A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 24 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.43V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.1V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 12:25.
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