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Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N

Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N
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Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 0.94€ 1.16€
5 - 9 0.89€ 1.09€
10 - 24 0.85€ 1.05€
25 - 49 0.80€ 0.98€
50 - 99 0.78€ 0.96€
100 - 142 0.76€ 0.93€
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Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N. Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 09:25.

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