Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.13€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.07€ |
50 - 99 | 0.85€ | 1.05€ |
100 - 107 | 0.74€ | 0.91€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.13€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.07€ |
50 - 99 | 0.85€ | 1.05€ |
100 - 107 | 0.74€ | 0.91€ |
Transistor de canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR3910. Transistor de canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 640pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 09:25.
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