Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.77€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.74€ |
10 - 24 | 0.58€ | 0.71€ |
25 - 49 | 0.57€ | 0.70€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.69€ |
100 - 249 | 0.54€ | 0.66€ |
250 - 2195 | 0.52€ | 0.64€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.63€ | 0.77€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.74€ |
10 - 24 | 0.58€ | 0.71€ |
25 - 49 | 0.57€ | 0.70€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.69€ |
100 - 249 | 0.54€ | 0.66€ |
250 - 2195 | 0.52€ | 0.64€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A - IRFR024NTRPBF. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR024N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 10/06/2025, 06:25.
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