Transistor de canal N IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

Transistor de canal N IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.87€
5-24
3.43€
25-49
3.10€
50+
2.80€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 33

Transistor de canal N IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 5.4A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1900pF. Custo): 470pF. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Função: comutação rápida, ORION TV. IDss (min): 100uA. Id(im): 22A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFPE40
30 parâmetros
DI (T=100°C)
3.4A
DI (T=25°C)
5.4A
Idss (máx.)
500uA
On-resistência Rds On
2 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
1900pF
Custo)
470pF
Diodo Trr (mín.)
550 ns
Função
comutação rápida, ORION TV
IDss (min)
100uA
Id(im)
22A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
100 ns
Td(ligado)
16 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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