Transistor de canal N IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 3100pF. Custo): 800pF. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 31A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45