Transistor de canal N IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 2800pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45