Transistor de canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A - IRFD024PBF

Transistor de canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A - IRFD024PBF. Transistor de canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A. Vdss (dreno para tensão da fonte): 60V. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 2.5A. Tensão porta/fonte Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Tipo de montagem: THT. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 12/06/2025, 11:25.