Transistor de canal N IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 19.7m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4600pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 460pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Chave PDP. IDss (min): 20uA. Id(im): 260A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43