Transistor de canal N IRFBC30, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 660pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 86pF. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Função: Dynamic dv/dt Rating. IDss (min): 100uA. Id(im): 14A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43