Transistor de canal N IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 670pF. Cobrar: 26nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 10A, 16A. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 56A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. Polaridade: unipolar. Potência: 88W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00