Transistor de canal N IRF530N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 920pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 25uA. Id(im): 60A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08