Transistor de canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF

Transistor de canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF. Transistor de canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.7m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 9620pF. Custo): 670pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 78 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Peso: 1.99g. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 21:25.