Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.76€ | 3.39€ |
5 - 9 | 2.62€ | 3.22€ |
10 - 24 | 2.48€ | 3.05€ |
25 - 49 | 2.35€ | 2.89€ |
50 - 93 | 2.29€ | 2.82€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 2.76€ | 3.39€ |
5 - 9 | 2.62€ | 3.22€ |
10 - 24 | 2.48€ | 3.05€ |
25 - 49 | 2.35€ | 2.89€ |
50 - 93 | 2.29€ | 2.82€ |
Transistor de canal N, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V - IRFB3307Z. Transistor de canal N, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 90A. DI (T=25°C): 128A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0046 Ohm. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 4750pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 512A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 21:25.
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