Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB20N50K

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB20N50K
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 4.24€ 5.22€
5 - 9 4.02€ 4.94€
10 - 16 3.81€ 4.69€
Quantidade U.P
1 - 4 4.24€ 5.22€
5 - 9 4.02€ 4.94€
10 - 16 3.81€ 4.69€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 16
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB20N50K. Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2870pF. Custo): 3480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 18:25.

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.