Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.92€ | 2.36€ |
10 - 24 | 1.82€ | 2.24€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.12€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.07€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.35€ |
250 - 331 | 1.05€ | 1.29€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.92€ | 2.36€ |
10 - 24 | 1.82€ | 2.24€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.12€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.07€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.35€ |
250 - 331 | 1.05€ | 1.29€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7831. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.32V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4310pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 18:25.
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