Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.90€ | 1.11€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.06€ |
10 - 24 | 0.83€ | 1.02€ |
25 - 49 | 0.81€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.97€ |
100 - 249 | 0.77€ | 0.95€ |
250 - 1691 | 0.74€ | 0.91€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.90€ | 1.11€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.06€ |
10 - 24 | 0.83€ | 1.02€ |
25 - 49 | 0.81€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.97€ |
100 - 249 | 0.77€ | 0.95€ |
250 - 1691 | 0.74€ | 0.91€ |
Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF. Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Carcaça (padrão JEDEC): 150W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF640NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 10/06/2025, 06:25.
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