Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.13€ |
25 - 49 | 0.86€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.84€ | 1.03€ |
100 - 249 | 0.82€ | 1.01€ |
250 - 513 | 0.72€ | 0.89€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.13€ |
25 - 49 | 0.86€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.84€ | 1.03€ |
100 - 249 | 0.82€ | 1.01€ |
250 - 513 | 0.72€ | 0.89€ |
Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630. Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 15:25.
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