Transistor de canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710

Transistor de canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF3710. Transistor de canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 23m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3230pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 12:25.