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Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205
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Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 2.02€ 2.48€
5 - 9 1.92€ 2.36€
10 - 24 1.82€ 2.24€
25 - 49 1.72€ 2.12€
50 - 99 1.56€ 1.92€
100 - 249 1.53€ 1.88€
250 - 496 1.45€ 1.78€
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Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205. Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3247pF. Custo): 781pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Tecnologia de Processo Avançada . Id(im): 390A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 11:25.

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