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Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324

Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324
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Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324. Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.2M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 24V. C (pol.): 5790pF. Custo): 3440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 46 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(im): 1412A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 11:25.

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