Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72€ | 2.12€ |
5 - 9 | 1.64€ | 2.02€ |
10 - 24 | 1.55€ | 1.91€ |
25 - 49 | 1.47€ | 1.81€ |
50 - 99 | 1.43€ | 1.76€ |
100 - 129 | 1.30€ | 1.60€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72€ | 2.12€ |
5 - 9 | 1.64€ | 2.02€ |
10 - 24 | 1.55€ | 1.91€ |
25 - 49 | 1.47€ | 1.81€ |
50 - 99 | 1.43€ | 1.76€ |
100 - 129 | 1.30€ | 1.60€ |
Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N. Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Id(im): 140A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 12:25.
Informações e ajuda técnica
Pagamento e entrega
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.