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Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N
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Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 1.72€ 2.12€
5 - 9 1.64€ 2.02€
10 - 24 1.55€ 1.91€
25 - 49 1.47€ 1.81€
50 - 99 1.43€ 1.76€
100 - 129 1.30€ 1.60€
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Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N. Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Id(im): 140A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 12:25.

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