Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 12.17€ | 14.97€ |
2 - 2 | 11.56€ | 14.22€ |
3 - 4 | 11.32€ | 13.92€ |
5 - 9 | 10.95€ | 13.47€ |
10 - 14 | 10.71€ | 13.17€ |
15 - 19 | 10.34€ | 12.72€ |
20 - 65 | 9.98€ | 12.28€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 12.17€ | 14.97€ |
2 - 2 | 11.56€ | 14.22€ |
3 - 4 | 11.32€ | 13.92€ |
5 - 9 | 10.95€ | 13.47€ |
10 - 14 | 10.71€ | 13.17€ |
15 - 19 | 10.34€ | 12.72€ |
20 - 65 | 9.98€ | 12.28€ |
Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T. Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4620pF. Custo): 288pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 182 ns. Função: VCEsat muito baixo. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 225A. Marcação na caixa: K75T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 330 ns. Td(ligado): 33 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 22:25.
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