Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 9.11€ | 11.21€ |
2 - 2 | 8.66€ | 10.65€ |
3 - 4 | 8.47€ | 10.42€ |
5 - 9 | 8.20€ | 10.09€ |
10 - 19 | 8.02€ | 9.86€ |
20 - 29 | 7.75€ | 9.53€ |
30 - 54 | 7.11€ | 8.75€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.11€ | 11.21€ |
2 - 2 | 8.66€ | 10.65€ |
3 - 4 | 8.47€ | 10.42€ |
5 - 9 | 8.20€ | 10.09€ |
10 - 19 | 8.02€ | 9.86€ |
20 - 29 | 7.75€ | 9.53€ |
30 - 54 | 7.11€ | 8.75€ |
Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60T. Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 3140pF. Custo): 200pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 143 ns. Função: VCEsat muito baixo. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 150A. Marcação na caixa: K50T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 299 ns. Td(ligado): 26 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 23:25.
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